絕緣材料介質(zhì)損耗因數(shù)測試儀 ； 介質(zhì)損耗：絕緣材料在電場作用下，由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng)，在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失，簡稱介損。在交變電場作用下，電介質(zhì)內(nèi)流過的電流相量和電壓相量之間的夾角（功率因數(shù)角Φ）的余角δ稱為介質(zhì)損耗角。

損耗因子也指耗損正切，是交流電被轉(zhuǎn)化為熱能的介電損耗（耗散的能量）的量度，一般情況下都期望耗損因子低些好。

 ；絕緣材料介質(zhì)損耗因數(shù)測試儀 ； 附加特性對比?

?特性?	?電橋法?	?諧振法?
溫度適應(yīng)性	需嚴(yán)格溫控（高精度要求）8	對溫濕度波動相對不敏感9
操作復(fù)雜度	復(fù)雜（需手動調(diào)節(jié)平衡）8	簡便（自動掃頻調(diào)諧）6
多參數(shù)測量能力	可同步測Cx、tanδ、Rx6	主要測Q值和諧振頻率4

主要特點(diǎn)：

空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的，玻纖介電常數(shù)為5~6，樹脂大約是3，由于樹脂含量，硬化程度，溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差，傳統(tǒng)測量方法樣品制作不易，尤其是薄膜樣品(小于10 mil)量測值偏低，。

測量范圍及誤差

 ； ； ； ；本電橋的環(huán)境溫度為20?5℃，相對濕度為30％－80％條件下，應(yīng)滿足

下列表中的技術(shù)指示要求。

 ； ； ； ；在Cn＝100pF  ； ； ；R4＝3183.2（W）（即10K/π）時

 ； ； ； ；測量項(xiàng)目 ； ； ； ； ； ；測量范圍 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；測量誤差 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；

 ； ； ； ；電容量Cx  ； ； ； ； ； ；40pF--20000pF  ； ； ； ； ；?0.5%  ；Cx?2pF  ； ； ； ；

 ； ； ； ；介質(zhì)損耗tgd  ； ； ； ； ；0～1  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；?1.5％tgdx?0.0001

 ； ； ； ；在Cn＝100pF  ； ； ； ； ；R4＝318.3（W）（即1K/π）時

 ； ； ； ；測量項(xiàng)目 ； ； ； ； ； ；測量范圍 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；測量誤差 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；

 ； ； ； ；電容量Cx  ； ； ； ； ； ；4pF--2000pF  ； ； ； ； ；?0.5%  ；Cx?3pF  ； ； ； ；

介質(zhì)損耗tgd  ； ； ； ； ；0～0.1  ； ； ； ； ； ； ； ； ；?1.5％tgdx?0.0001

離子晶體的損耗

離子晶體的介質(zhì)損耗與其結(jié)構(gòu)的緊密程度有關(guān)。

緊密結(jié)構(gòu)的晶體離子都排列很有規(guī)則，鍵強(qiáng)度比較大，如α-Al2O3、鎂橄欖石晶體等，在外電場作用下很難發(fā)生離子松弛極化，只有電子式和離子式的位移極化，所以無極化損耗，僅有的一點(diǎn)損耗是由漏導(dǎo)引起的（包括本質(zhì)電導(dǎo)和少量雜質(zhì)引起的雜質(zhì)電導(dǎo)）。這類晶體的介質(zhì)損耗功率與頻率無關(guān)，損耗角正切隨頻率的升高而降低。因此，以這類晶體為主晶相的陶瓷往往用在高頻場合。如剛玉瓷、滑石瓷、金紅石瓷、鎂橄欖石瓷等

結(jié)構(gòu)松散的離子晶體，如莫來石（3Al2O3?2SiO2）、董青石（2MgO?2Al2O3?5SiO2）等，其內(nèi)部有較大的空隙或晶格畸變，含有缺陷和較多的雜質(zhì)，離子的活動范圍擴(kuò)大。在外電場作用下，晶體中的弱聯(lián)系離子有可能貫穿電極運(yùn)動，產(chǎn)生電導(dǎo)打耗。弱聯(lián)系離子也可能在一定范圍內(nèi)來回運(yùn)動，形成熱離子松弛，出現(xiàn)極化損耗。所以這類晶體的介質(zhì)損耗較大，由這類品體作主晶相的陶瓷材料不適用于高頻，只能應(yīng)用于低頻場合。

電容測量：1~205

 ； ； ； ； ；主電容調(diào)節(jié)范圍：18～220pF

 ； ； ； ； ；準(zhǔn)確度：150pF以下?1.5pF； 150pF以上?1%

 ； ； ； ； ；注：大于直接測量范圍的電容測量見后頁使用說明

 ；

其他

a．消耗功率：約25W；

b．凈重：約7kg；

c. 外型尺寸：（l?b?h）mm：380?132?280。

試驗(yàn)報告

 ；試驗(yàn)報告中應(yīng)給出下列相關(guān)內(nèi)容:

 ；絕緣材料的型號名稱及種類、供貨形式、取樣方法、試樣的形狀及尺寸和取樣日期(并注明試樣厚度和試樣在與電極接觸的表面進(jìn)行處理的情況)；

 ；試樣條件處理的方法和處理時間；

 ；電極裝置類型，若有加在試樣上的電極應(yīng)注明其類型；

 ；測量儀器；

 ；試驗(yàn)時的溫度和相對濕度以及試樣的溫度；

 ；施加的電壓；

 ；施加的頻率；

 ；相對電容率ε(平均值)；

 ；介質(zhì)損耗因數(shù)tans(平均值)；

 ；試驗(yàn)日期；

 ；相對電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)值以及由它們計算得到的值如損耗指數(shù)和損耗角，必要時，應(yīng)給出與溫度和頻率的關(guān)系。

關(guān)于高頻介質(zhì)損耗測試儀的特點(diǎn)及原理：高頻介質(zhì)損耗測試儀具備寬頻率范圍（20Hz-1MHz甚至更高），采用高精度LCR測量電路和24位AD轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)微伏級信號分辨，配備溫控模塊支持-40℃至200℃溫度范圍。儀器具備多重保護(hù)機(jī)制，包括輸入電壓波動、輸出短路、過壓過流保護(hù)等安全特性。此外，測試儀還能測量電感量和品質(zhì)因數(shù)等參數(shù)，并支持?jǐn)?shù)據(jù)存儲和管理功能。

在原理方面，高頻介質(zhì)損耗測試儀主要基于電橋法和諧振法。電橋法通過相位差檢測技術(shù)，比對標(biāo)準(zhǔn)電容器與待測樣品的電流相位差來計算復(fù)介電常數(shù)。而諧振法（Q表法）則利用諧振頻率偏移或品質(zhì)因數(shù)變化來評估介電特性。對于材料介電性能，介電常數(shù)反映材料儲存電能的能力，介質(zhì)損耗角正切值表示能量損耗比例。高頻測試儀通常采用三電極結(jié)構(gòu)設(shè)計以消除邊緣效應(yīng)誤差，并通過數(shù)字化實(shí)時采集進(jìn)行矢量運(yùn)算。

用戶可能從事電力設(shè)備檢測或材料研究工作，需要這些專業(yè)參數(shù)來評估絕緣材料的高頻特性。高頻介質(zhì)損耗測試儀的技術(shù)指標(biāo)對材料研發(fā)和電力設(shè)備安全至關(guān)重要，特別是tanδ值過高會導(dǎo)致絕緣層溫升加速老化。

在回答組織結(jié)構(gòu)上，考慮分成特點(diǎn)和原理兩大部分，用簡潔的說明性小標(biāo)題區(qū)分，重點(diǎn)參數(shù)加粗突出。每個技術(shù)點(diǎn)都會標(biāo)注對應(yīng)的搜索結(jié)果索引，確保信息可追溯。

 ；

科研與教學(xué)?

00001. ；?材料介電性能研究?

?工具?：高頻電橋法測量固體/液體介電常數(shù)（ε）及損耗因子（tanδ）。

?案例?：納米陶瓷高頻特性分析。

00002. ；?物理實(shí)驗(yàn)教學(xué)?

?項(xiàng)目?：惠斯通電橋測未知電阻，驗(yàn)證平衡條件 ；?1/?2=?3/?4R1/R2=R3/R4 ；34。

?拓展?：滑線電橋簡化測量電路設(shè)計。

電橋法應(yīng)用案例"。之前的對話歷史顯示用戶已經(jīng)了解電橋法和高頻介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀的區(qū)別，現(xiàn)在轉(zhuǎn)向?qū)嶋H應(yīng)用場景。

首先看搜索結(jié)果中的案例分布。提到朋友用惠斯通電橋檢測音響老化電阻的實(shí)例，非常生活化；詳細(xì)說明了MEMS壓力傳感器中的惠斯登電橋結(jié)構(gòu)，屬于工業(yè)應(yīng)用；和聚焦教學(xué)場景，提到高考物理的電橋法測電阻題型；列舉了多個領(lǐng)域如光學(xué)參數(shù)測量和化學(xué)反應(yīng)監(jiān)測；描述了可燃?xì)怏w檢測和電子秤的應(yīng)變片應(yīng)用；對比了惠斯通和凱爾文電橋的適用場景；和則專門講西林電橋在絕緣材料tanδ測量的案例；補(bǔ)充了介電常數(shù)測量的干擾因素。

工業(yè)檢測與控制?

00001. ；?壓力傳感器（MEMS技術(shù)）?

?原理?：硅薄膜上集成惠斯通電橋，受壓時壓敏電阻變化打破電橋平衡。

?應(yīng)用?：汽車胎壓監(jiān)測、工業(yè)過程控制，實(shí)時輸出壓力信號。

00002. ；?可燃?xì)怏w濃度檢測?

?原理?：催化燃燒式傳感器中電橋一臂涂催化劑，可燃?xì)怏w燃燒致電阻變化，電橋失衡輸出信號。

?應(yīng)用?：煤礦、化工廠安全預(yù)警系統(tǒng)。

00003. ；?絕緣材料老化診斷?

?工具?：西林電橋測量介質(zhì)損耗角正切（tanδ）。

?場景?：高壓變壓器油紙絕緣狀態(tài)評估，tanδ升高提示受潮或劣化。

電橋法和諧振法是測量介質(zhì)損耗（tanδ）和介電常數(shù)（ε）的兩種核心方法，其區(qū)別主要體現(xiàn)在測量原理、適用頻率范圍、精度特點(diǎn)及應(yīng)用場景等方面，具體對比如下：1. 工作原理差異?

?電橋法?

基于?橋路平衡原理?：將待測樣品與標(biāo)準(zhǔn)電容器/電阻構(gòu)成電橋電路（如西林電橋），通過調(diào)節(jié)橋臂元件使電橋平衡，計算樣品的電容（Cx）和損耗角正切（tanδ）。

關(guān)鍵參數(shù)檢測：測量?電壓與電流的相位差?，通過相位差直接計算tanδ。

?諧振法?

基于?LC諧振特性?：將樣品置于諧振回路中，通過測量?諧振頻率偏移（Δf）? 或?品質(zhì)因數(shù)（Q值）的變化?，間接推算ε和tanδ。

常用替代法：如并聯(lián)替代法消除分布電容誤差，通過兩次調(diào)諧計算Cx。

為什么介電常數(shù)越大，絕緣能力越強(qiáng) .

因?yàn)槲镔|(zhì)的介電常數(shù)和頻率相關(guān)，通常稱為介電系數(shù)。

 ；

介電常數(shù)又叫介質(zhì)常數(shù)，介電系數(shù)或電容率，它是表示絕緣能力特性的一個系數(shù)。所以理論上來說，介電常數(shù)越大，絕緣性能就越好。

注：這個性質(zhì)不是絕對成立的。

對于絕緣性不太好的材料(就是說不擊穿的情況下，也可以有一定的導(dǎo)電性)和絕緣性很好的材料比較，這個結(jié)論是成立的。

但對于兩個絕緣體就不一定了。

介電常數(shù)反映的是材料中電子的局域(local)特性，導(dǎo)電性是電子的全局(global)特征.不是一回事情的。

適用場景對比?

?方法?	?典型應(yīng)用場景?
電橋法	電力設(shè)備絕緣材料（電纜、變壓器）工頻損耗檢測58；低中頻介電常數(shù)測量6。
諧振法	高頻電路基板、微波介質(zhì)諧振器、薄膜材料測試49；GHz級以上材料性能分析6。

邊緣效應(yīng)

 ；為了避免邊緣效應(yīng)引起電容率的測量誤差，電極系統(tǒng)可加上保護(hù)電極。保護(hù)電極的寬度應(yīng)至少為兩倍的試樣厚度，保護(hù)電極和主電極之間的間隙應(yīng)比試樣厚度小。假如不能用保護(hù)環(huán)，通常需對邊緣電容進(jìn)行修正，表工給出了近似計算公式這些公式是經(jīng)驗(yàn)公式，只適用于規(guī)定的幾種特定的試樣形狀。

 ；此外，在一個合適的頻率和溫度下，邊緣電容可采用有保護(hù)環(huán)和無保護(hù)環(huán)的(比較))測量來獲得，用所得到的邊緣電容修正其他頻率和溫度下的電容也可滿足精度要求。

產(chǎn)品售后服務(wù)承諾表述如下：

1.我方對于提供的產(chǎn)品免費(fèi)保修三年。保修期滿后，我方將繼續(xù)跟蹤服務(wù)，客戶享受終生維修，負(fù)責(zé)及時提供必要的售后服務(wù)、技術(shù)咨詢。

2.保修期內(nèi)人為損壞的零部件按采購（加工）價格收費(fèi)更換。

3.可為用戶提供上門服務(wù)。

4.提供實(shí)時的遠(yuǎn)程診斷和維護(hù)服務(wù)。

5.保修期內(nèi)提供免費(fèi)的產(chǎn)品軟件升級、故障排除、性能調(diào)優(yōu)、技術(shù)咨詢等售后技術(shù)支持服務(wù)情況

6. 視頻指導(dǎo)培訓(xùn)操作人員，使參訓(xùn)人員能正常操作儀器、初步會判斷故障、簡單維護(hù)保養(yǎng)。

7.每年進(jìn)行客戶回訪。

8.軟件升級：終生免費(fèi)提供新版本控制軟件。

9.提供適用、詳細(xì)、全面的中文產(chǎn)品說明書和維修手冊。

10.提供對故障2小時內(nèi)響應(yīng)，24小時內(nèi)的現(xiàn)場服務(wù)。

11.技術(shù)支持：對于所需儀器的用戶，根據(jù)用戶的要求提供專業(yè)的技術(shù)方案。除了常規(guī)的儀器服務(wù)外，我公司技術(shù)部還可為用戶提供各種非常規(guī)設(shè)備的技術(shù)支持。