E系列GaN HEMT擊穿特性測試高壓程控電源特點和優(yōu)勢：

十ms級的上升沿和下降沿；

單臺最大3500V的輸出；

0.1%測試精度；

同步電流或電壓測量；

支持程控恒壓測流，恒流測壓，便于掃描測試；

部分技術指標

最大輸出功率：350W，3500V/100mA（不同型號有差異）；

輸出電壓建立時間典型值：< 5ms；

輸出接口：E100:三同軸BNC；E200、E300:KHV（三同軸）；

掃描：支持線性、對數(shù)及用戶自定義掃描；

通信接口：RS232、以太網(wǎng)；

保護：支持急停；

觸發(fā)：支持trig IN及trig out；

尺寸：19英寸2U機箱；

應用領域：

用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態(tài)測試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測試,壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對于快速測量擊穿點具有重大意義。

GaN HEMT擊穿特性測試高壓程控電源聯(lián)系我們： 

單位名稱：武漢普賽斯儀表有限公司

網(wǎng)站：http://www.whpssins.com.cn

單位地址：武漢市東湖新技術開發(fā)區(qū)光谷大道308號光谷動力節(jié)能環(huán)保產業(yè)園10棟5樓

聯(lián)系人：陶女士

聯(lián)系電話：18140663476/027-87993690

工作QQ：1993323884

郵箱：taof@whprecise.com