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Aston? 質(zhì)譜分析儀應(yīng)用于沉積和刻蝕3D NAND 存儲器

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3D NAND 工藝通過堆疊存儲單元, 提供更高的比特密度, 上海伯東日本 Atonarp Aston? 質(zhì)譜分析儀適用于先進半導(dǎo)體工藝(如沉積和蝕刻)所需的定量氣體分析. 沉積應(yīng)用中:  實時過程氣體監(jiān)控,以驅(qū)動自動化工具調(diào)整以實現(xiàn)過程控制, 沉積步驟之間的終點檢測, 實現(xiàn)層的化學(xué)計量工程; 蝕刻應(yīng)用中: 以 ppb 為單位測量的工藝氣體和副產(chǎn)品, 啟用端點腔室清潔.
Aston? 質(zhì)譜分析儀應(yīng)用于沉積和刻蝕3D NAND 存儲器

3D NAND 工藝概述

工藝步驟

 

3D NAND 存儲器

3D NAND 存儲器

3D NAND 存儲器

 

 

堆疊沉積: 交替氧化物(藍色)和氮化物(綠色)薄膜沉積(每個堆疊 >200 對)

 

通道蝕刻: 沉積硬掩模, 形成開口, 高縱橫比通道貫穿所有層(每個晶片>1 萬億個孔)

 

階梯蝕刻: 字線的接觸焊盤是使用產(chǎn)生階梯結(jié)構(gòu)的受控蝕刻來創(chuàng)建的.

 

ASTON 優(yōu)勢

 

均勻的厚度對電氣性能至關(guān)重要. Aston? 質(zhì)譜分析儀可實現(xiàn)厚度控制, 層定義和化學(xué)計量工程.

 

高縱橫比通道孔需要從上到下完整且均勻, 沒有彎曲或扭曲. Aston? 質(zhì)譜能夠在腔內(nèi)測量蝕刻反應(yīng)物.

 

蝕刻輪廓控制精度(埃). 蝕刻深度能力(微米).
Aston? 質(zhì)譜儀通過動態(tài)測量化學(xué)物質(zhì)來實現(xiàn)蝕刻

 

工藝步驟

 

3D NAND 存儲器

3D NAND 存儲器

3D NAND 存儲器

 

 

狹縫蝕刻: 沉積硬掩模層, 形成硬開口圖案, 蝕刻狹縫以分離通道孔列. 這將創(chuàng)建一個存儲單元陣列.

 

字線沉積: 在一些 3D NAND 方案中, 去除氮化物層, 然后使用由內(nèi)向外的原子層沉積工藝(紫色)創(chuàng)建鎢字線.

 

晶圓上最終 3D NAND 結(jié)構(gòu)的橫截面

 

 

ASTON優(yōu)勢

 

Aston? 質(zhì)譜儀通過連續(xù)測量反應(yīng)物來實現(xiàn)蝕刻的均勻性和精度.

 

去除氮化層并填充鎢. Aston? 質(zhì)譜儀實現(xiàn)了分子水平的控制.

 

 

來源: Lam Research: 3D NAND - Key Process Steps (2016) url: https://www.youtube.com/watch?v=hglK1cf3meM
 

Aston? 質(zhì)譜儀優(yōu)勢
ppb 級靈敏度的高速采樣
非常適合高縱橫比的 3D 結(jié)構(gòu)
耐腐蝕性氣體, 堅固緊湊
易于集成到工具平臺中
沉積應(yīng)用中:  實時過程氣體監(jiān)控,以驅(qū)動自動化工具調(diào)整以實現(xiàn)過程控制, 沉積步驟之間的終點檢測, 實現(xiàn)層的化學(xué)計量工程
蝕刻應(yīng)用中: 以 ppb 為單位測量的工藝氣體和副產(chǎn)品, 啟用端點腔室清潔
 

Atonarp  Aston? 質(zhì)譜分析儀技術(shù)參數(shù)

類型

Impact-300

Impact-300DP

Plasma-200

Plasma-200DP

Plasma-300

Plasma-300DP

型號

AST3007

AST3006

AST3005

AST3004

AST3003

AST3002

質(zhì)量分離

四級桿

真空系統(tǒng)

分子泵

分子泵
隔膜泵

分子泵

分子泵
隔膜泵

分子泵

分子泵
隔膜泵

檢測器

FC /SEM

質(zhì)量范圍

2-285

2-220

2-285

分辨率

0.8?0.2

檢測限

0.1 PPM

工作溫度

15-35“℃

功率

350 W

重量

15 kg

尺寸

299 x 218 x 331 LxWxH(mm)

400 x 240 x 325 LxWxH(mm)

 

若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式:

上海伯東: 羅先生                               臺灣伯東: 王女士
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