KRi 考夫曼離子源典型應用 IBF 離子束拋光工藝
離子束拋光加工 Ion Beam Figuring, IBF 已逐漸成為光學零件表面超精加工常用的最后一道工藝, 離子源是離子束拋光機的核心部件. 上海伯東美國 KRi 直流電源式考夫曼離子源 KDC 系列成功應用于光學鍍膜離子束拋光機及晶體硅片離子束拋光機.
考夫曼離子源通過控制離子的強度及濃度, 使拋光刻蝕速率更快更準確, 拋光后的基材上獲得更平坦, 均勻性更高的薄膜表面. KDC 考夫曼離子源內置型的設計更符合離子源在離子拋光機內部的移動運行. 上海伯東是美國 KRi 考夫曼離子源中國總代理.
考夫曼離子源 KDC 10 安裝于光學鍍膜離子束拋光機
1. 基材: 100 mm 光學鏡片
2. 離子源條件: Vb: 800 V ( 離子束電壓 ), Ib: 84 mA ( 離子束電流 ) , Va: -160 V ( 離子束加速電壓 ), Ar gas ( 氬氣 ).
離子束拋光前平坦度影像呈現圖 | 離子束拋光后平坦度影像呈現圖 |
考夫曼離子源 KDC 40 安裝于晶體硅片離子束拋光機
1. 基材: 300 mm 晶體硅片
2. 離子源條件: Vb: 1000 V ( 離子束電壓 ), Ib: 69 mA ( 離子束電流 ), Va: -200 V ( 離子束加速電壓 ) Ar gas ( 氬氣 )
離子束拋光前平坦度影像呈現圖 | 離子束拋光后平坦度影像呈現圖 |
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 系列根據客戶離子拋光工藝條件提供如下型號:
型號 | KDC 10 | KDC 40 | KDC 75 | KDC 100 | KDC 160 |
Discharge 陽極 | DC 電流 | DC 電流 | DC 電流 | DC 電流 | DC 電流 |
離子束流 | >10 mA | >100 mA | >250 mA | >400 mA | >650 mA |
離子動能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
柵極直徑 | 1 cm Φ | 4 cm Φ | 7.5 cm Φ | 12 cm Φ | 16 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
| |||
流量 | 1-5 sccm | 2-10 sccm | 2-15 sccm | 2-20 sccm | 2-30 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型壓力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
長度 | 11.5 cm | 17.1 cm | 20.1 cm | 23.5 cm | 25.2 cm |
直徑 | 4 cm | 9 cm | 14 cm | 19.4 cm | 23.2 cm |
中和器 | 燈絲 | ||||
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
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