原子層沉積 ALD 是基于順序使用氣相化學過程的重要技術之一, 它可以被視為一種特殊類型的化學氣相沉積 CVD . 多數 ALD反應使用兩種或更多種化學物質（稱為前驅物, 也稱為“反應物”）. 這些前驅物以一種連續的且自我限制的方式, 一次與一種材料的表面反應. 通過多個 ALD 循環, 緩慢地沉積薄膜.
熱沉積式的 ALD 需要較高的制程溫度 (傳統為 150-350?C). 上海伯東代理原子層沉積設備可以精準的控制 ALD 的制程, 薄膜的厚度和均勻度皆小于 /- 1％, 廣泛應用于 OLED 和硅太陽能電池的鈍化層, 微機電系統, 納米電子學, 納米孔結構薄膜, 光學薄膜, 薄膜封裝技術等領域.
上海伯東原子層沉積設備配置和優點
ALD 具有許多優點, 例如出色的均勻性, 在復雜形狀的基板表面上沉積的具有相同膜厚的膜保形性, 低溫處理. 因此, ALD 被廣泛應用于微電子, 納米技術和生物技術領域中.
客制化的基板尺寸, 最大直徑可達 300mm 晶圓
優異的薄膜均勻度小于 ?1％
較高的深寬比和復雜結構具有相同特性之薄膜沉積
薄膜具有高致密性
前驅物材料可多達 6種并可分別加熱到 200?C
快速脈沖的氣體輸送閥, 反應時間為 10毫秒
通過穩定的溫度控制, 將基板載臺加熱到 400?C
材料: Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2, SiO2, TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt … 等等
原子層沉積設備腔體和選件
原子層沉積設備腔體為鋁腔或者不銹鋼腔體, 其占地面積小, 可縮短制程時間, 通過使用水冷系統, 加熱器或加熱包來控制腔體溫度.
設備可以與傳送腔, 機械手臂和手套箱整合在一起, 搭配使用橢圓偏振光譜儀和高真空傳送系統.

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