產(chǎn)品描述

上海伯東代理美國考夫曼博士設(shè)立的考夫曼公司 KRI 射頻離子源 RFICP 100, 離子束可聚焦, 平行, 散射.

KRI 射頻離子源屬于大面積射頻離子源, 離子束流: >350 mA; 離子動能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000. 流量(Typical flow):5-30 sccm

采用射頻技術(shù)產(chǎn)生離子, 無需電離燈絲, 工藝時(shí)間更長.

離子源采用模塊化設(shè)計(jì), 方便清潔/ 保養(yǎng)/ 維修/ 安裝.

適用于離子濺鍍和離子蝕刻, 實(shí)現(xiàn)完美的薄膜特性. 在離子刻蝕工藝中, 離子源與離子光學(xué)配合, 蝕刻更均勻. 

美國 KRI 射頻離子源 RFICP 100 技術(shù)參數(shù)：

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 100 技術(shù)參數(shù):

型號	RFICP 100
Discharge	RFICP 射頻
離子束流	>350 mA
離子動能	100-1200 V
柵極直徑	10 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	5-30 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長度	23.5 cm
直徑	19.1 cm
中和器	LFN 2000

* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量

美國 KRI 射頻離子源 RFICP 100 應(yīng)用領(lǐng)域：

伯東KRI 考夫曼離子源 RFICP 100 應(yīng)用領(lǐng)域:

1. 預(yù)清洗

2. 表面改性

3. 輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜) IBAD,

4. 濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC

5. 離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD

6. 離子蝕刻 IBE