介質(zhì)損耗因數(shù)電容率測試儀 溫度
損耗指數(shù)在一個頻率下可以出現(xiàn)一個最大值,這個頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān)。介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負的,這取決于在測量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù)最大值位置。
介質(zhì)損耗因數(shù)電容率測試儀 使用方法
高頻Q表是多用途的阻抗測量儀器,為了提高測量精度,除了使Q表測試回路本身殘余參量盡可能地小,使耦合回路的頻響盡可能地好之外,還要掌握正確的測試方法和殘余參數(shù)修正方法。
1.測試注意事項
a.本儀器應水平安放;
b.如果你需要較精確地測量,請接通電源后,預熱30分鐘;
c.調(diào)節(jié)主調(diào)電容或主調(diào)電容數(shù)碼開關(guān)時,當接近諧振點時請緩調(diào);
d.被測件和測試電路接線柱間的接線應盡量短,足夠粗,并應接觸良好、可靠,以減少因接線的電阻和分布參數(shù)所帶來的測量誤差;
e.被測件不要直接擱在面板頂部,離頂部一公分以上,必要時可用低損耗的絕緣材料如聚苯乙烯等做成的襯墊物襯墊;
f.手不得靠近試件,以免人體感應影響造成測量誤差,有屏蔽的試件,屏蔽罩應連接在低電位端的接線柱。
2.高頻線圈的Q值測量(基本測量法)
介質(zhì)損耗(dielectric loss)指的是絕緣材料在電場作用下,由于介質(zhì)電導和介質(zhì)極化的滯后效應,在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失,簡稱介損。
介質(zhì)損耗因數(shù)(dielectric loss factor)指的是衡量介質(zhì)損耗程度的參數(shù)。
電場強度
存在界面極化時,自由離子的數(shù)目隨電場強度增大而增加,其損耗指數(shù)最大值的大小和位置也隨此而變。
在較高的頻率下,只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電,電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場強度無關(guān)
頻率分段
(虛擬)
10~99.9999kHz
100~999.999kHz
1~9.99999MHz
10~60MHz
使用和保養(yǎng)
高頻Q表是比較精密的阻抗測量儀器,在合理使用和注意保養(yǎng)情況下,才能保證長期穩(wěn)定和較高的測試精度。
a.熟悉本說明書,正確地使用儀器;
b.使儀器經(jīng)常保持清潔、干燥;
c.本儀器保用期為18個月,如發(fā)現(xiàn)機械故障或失去準確度,可以原封送回本廠,免費修理。
高分子材料的損耗
高分子聚合物電介質(zhì)按單體單元偶極矩的大小可分為極性和非極性兩類。一般地,偶極矩在0~0.5D(德拜)范圍內(nèi)的是非極性高聚物;偶極矩在0.5D以上的是極性高聚物。非極性高聚物具有較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗,其介電常數(shù)約為2,介質(zhì)損耗小于10-4;極性高聚物則具有較高的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗,并且極性愈大,這兩個值愈高。
電感:
線圈號 測試頻率 Q值 分布電容p 電感值
9 100KHz 98 9.4 25mH
8 400KHz 138 11.4 4.87mH
7 400KHz 202 16 0.99mH
6 1MHz 196 13 252μH
5 2MHz 198 8.7 49.8μH
4 4.5MHz 231 7 10μH
3 12MHz 193 6.9 2.49μH
2 12MHz 229 6.4 0.508μH
1 25MHz,50MHz 233,211 0.9 0.125μH
高聚物的交聯(lián)通常能阻礙極性基團的取向,因此熱固性高聚物的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗均隨交聯(lián)度的提高而下降。酚醛樹脂就是典型的例子,雖然這種高聚物的極性很強,但只要固化比較完全,它的介質(zhì)損耗就不高。相反,支化使分子鏈間作用力減弱,分子鏈活動能力增強,介電常數(shù)和介質(zhì)損耗均增大。
高聚物的凝聚態(tài)結(jié)構(gòu)及力學狀態(tài)對介電性景響也很大。結(jié)品能抑制鏈段上偶極矩的取向極化,因此高聚物的介質(zhì)損耗隨結(jié)晶度升高而下降。當高聚物結(jié)晶度大于70%時,鏈段上的偶極的極化有時完全被抑制,介電性能可降至最低值,同樣的道理,非晶態(tài)高聚物在玻璃態(tài)下比在高彈態(tài)下具有更低的介質(zhì)損耗。此外,高聚物中的增塑利、雜質(zhì)等對介電性能也有很大景響。
Technical parameters:
1. Q-value measurement
a. Q-value measurement range: 2-1023.
b. Q-value range: 30, 100, 300, 1000, automatic or manual shifting.
c. Nominal error
Frequency range (100kHz~10MHz): Frequency range (10MHz~160MHz):
Inherent error:≤5%?2% of full-scale value Inherent error:≤6%?2% of full-scale value
Work error:≤7%?2% of full scale value Work error:≤8%?2% of full scale value
2. Inductance measurement range: 4.5nH~7.9mH
3. Capacitance measurement: 1~205
Main capacitor adjustment range: 18-220pF
Accuracy: below 150pF?1.5pF; Above 150pF?1%
Note: For capacitance measurements larger than the direct measurement range, please refer to the instructions on the following page for usage
4. Signal source frequency coverage range
Frequency range CH1: 0.1-0.999999MHz, CH2: 1-9.99999MHz,
CH3:10~99.9999MHz, CH1 :100~160MHz,
5. Qualification indication preset function: preset range: 5-1000.
6. B-Normal working conditions of the tester
a. Environmental temperature: 0℃to 40℃;
b. Relative humidity:<80%;
c. Power supply: 220V?22V, 50Hz?2.5Hz.
7. Other
a. Power consumption: approximately 25W;
b. Net weight: approximately 7kg;
c. Dimensions: (l?b?h) mm: 380?132?280.
技術(shù)參數(shù):
1.Q值測量
a.Q值測量范圍:2~1023。
b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。
c.標稱誤差
頻率范圍(100kHz~10MHz): 頻率范圍(10MHz~160MHz):
固有誤差:≤5%?滿度值的2%固有誤差:≤6%?滿度值的2%
工作誤差:≤7%?滿度值的2%工作誤差:≤8%?滿度值的2%
2.電感測量范圍:4.5nH~7.9mH
3.電容測量:1~205
主電容調(diào)節(jié)范圍:18~220pF
準確度:150pF以下?1.5pF;150pF以上?1%
注:大于直接測量范圍的電容測量見后頁使用說明
4. 信號源頻率覆蓋范圍
頻率范圍CH1:0.1~0.999999MHz, CH2: 1~9.99999MHz,
CH3:10~99.9999MHz, CH1 :100~160MHz,
5.Q合格指示預置功能: 預置范圍:5~1000。
6.B-測試儀正常工作條件
a. 環(huán)境溫度:0℃~ 40℃;
b.相對濕度:<80%;
c.電源:220V?22V,50Hz?2.5Hz。
7.其他
a.消耗功率:約25W;
b.凈重:約7kg;
c.外型尺寸:(l?b?h)mm:380?132?280。
宏觀結(jié)構(gòu)不均勾性的介質(zhì)損耗
工程介質(zhì)材料大多數(shù)是不均勻介質(zhì)。例如陶瓷材料就是如此,它通常包含有晶相、玻璃相和氣相,各相在介質(zhì)中是統(tǒng)計分布口。由于各相的介電性不同,有可能在兩相間積聚了較多的自由電荷使介質(zhì)的電場分布不均勻,造成局部有較高的電場強度而引起了較高的損耗。但作為電介質(zhì)整體來看,整個電介質(zhì)的介質(zhì)損耗必然介于損耗最大的一相和損耗最小的一相之間。
滿足標準:GBT1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
A型高頻Q表和C型高頻Q表主要區(qū)別
| A | C |
測試頻率范圍 | 25kHz~60MHz | 100kHz~160MHz |
主調(diào)電容控制 | 傳感器 | 步進馬達 |
電容搜索 | 無 | 有 |
工程材料:
離子晶體的損耗
離子晶體的介質(zhì)損耗與其結(jié)構(gòu)的緊密程度有關(guān)。
緊密結(jié)構(gòu)的晶體離子都排列很有規(guī)則,鍵強度比較大,如α-Al2O3、鎂橄欖石晶體等,在外電場作用下很難發(fā)生離子松弛極化,只有電子式和離子式的位移極化,所以無極化損耗,僅有的一點損耗是由漏導引起的(包括本質(zhì)電導和少量雜質(zhì)引起的雜質(zhì)電導)。這類晶體的介質(zhì)損耗功率與頻率無關(guān),損耗角正切隨頻率的升高而降低。因此,以這類晶體為主晶相的陶瓷往往用在高頻場合。如剛玉瓷、滑石瓷、金紅石瓷、鎂橄欖石瓷等
結(jié)構(gòu)松散的離子晶體,如莫來石(3Al2O3?2SiO2)、董青石(2MgO?2Al2O3?5SiO2)等,其內(nèi)部有較大的空隙或晶格畸變,含有缺陷和較多的雜質(zhì),離子的活動范圍擴大。在外電場作用下,晶體中的弱聯(lián)系離子有可能貫穿電極運動,產(chǎn)生電導打耗。弱聯(lián)系離子也可能在一定范圍內(nèi)來回運動,形成熱離子松弛,出現(xiàn)極化損耗。所以這類晶體的介質(zhì)損耗較大,由這類品體作主晶相的陶瓷材料不適用于高頻,只能應用于低頻場合。
A/C高頻Q表是北廣精儀儀器設(shè)備有限公司研制的產(chǎn)品,它以DDS數(shù)字直接合成方式產(chǎn)生信號源,頻率達60MHz/160MHz,信號源具有信號失真小、頻率精確、信號幅度穩(wěn)定的優(yōu)點,更保證了測量精度的精確性。A主電容調(diào)節(jié)用傳感器感應,電容讀數(shù)精確,且頻率值可設(shè)置。C主電容調(diào)節(jié)用步進馬達控制,電容讀數(shù)更加精確,頻率值和電容值均可設(shè)置。A/C電容、電感、Q值、頻率、量程都用數(shù)字顯示,在某一頻率下,只要能找到諧振點,都能直接讀出電感、電容值,大大擴展了電感的測量范圍,而不再是固定的幾個頻率下才能測出電感值的大小。A/C特有的諧振點頻率自動搜索或電容自動搜索功能,能幫助你在使用時快速地找到被測量器件的諧振點,自動讀出Q值和其它參數(shù)。Q值量程可手動或自動轉(zhuǎn)換。
玻璃的損耗
復雜玻璃中的介質(zhì)損耗主要包括三個部分:電導耗、松弛損耗和結(jié)構(gòu)損耗。哪一種損耗占優(yōu)勢,取決于外界因素溫度和電場頻率。高頻和高溫下,電導損耗占優(yōu)勢:在高頻下,主要的是由弱聯(lián)系離子在有限范圍內(nèi)移動造成的松弛損耗:在高頻和低溫下,主要是結(jié)構(gòu)損耗,其損耗機理目前還不清楚,可能與結(jié)構(gòu)的緊密程度有關(guān)。般來說,簡單玻璃的損耗是很小的,這是因為簡單玻璃中的“分子”接近規(guī)則的排列,結(jié)構(gòu)緊密,沒有弱聯(lián)系的松弛離子。在純玻璃中加人堿金屬化物后。介質(zhì)損耗大大增加,并且隨著加人量的增大按指數(shù)規(guī)律增大。這是因為堿性氧化物進人玻璃的點陣結(jié)構(gòu)后,使離子所在處點陣受到破壞,結(jié)構(gòu)變得松散,離子活動性增大,造成電導損耗和松弛損耗增加。
特點:
◆ 優(yōu)化的測試電路設(shè)計使殘值更小
◆ 高頻信號采用數(shù)碼調(diào)諧器和頻率鎖定技術(shù)
◆LED數(shù)字讀出品質(zhì)因數(shù),手動/自動量程切換
◆ 自動掃描被測件諧振點,標頻單鍵設(shè)置和鎖定,大大提高測試速度
服務
1.供方質(zhì)量保證體系嚴格按照ISO9001質(zhì)量標準之要求執(zhí)行
2.培訓:可根據(jù)客戶要求在設(shè)備出廠前或設(shè)備到場后,對需方的技術(shù)人員進行操作、保養(yǎng)及設(shè)備維護進行技術(shù)培訓
3.服務:當設(shè)備因質(zhì)量或其他原因不能正常工作時,我公司在得到通知后24小時內(nèi)給予答復;需要現(xiàn)場維修時,我公司在得到通知后48小時內(nèi)派員上門維修、檢測
4.設(shè)備保修期為1年。
投訴體系及聯(lián)系方式
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